小米芯片“拼装”的秘方，在专利里找到了

层（Interposer）km稳步增加，从一个全凌早先厚度（分之一830mm2）到两个凌早先厚度（分之一1700mm2）。反之亦然层的km决定了最大的烧录后的显卡的km。

第5代CoWoS-S（CoWoS-S5）达到了大至三个全光罩厚度（~2500mm2）的总体。通过双路光刻剪裁方法有，该新科技的锗反之亦然层可容纳1200mm2的多个形式化芯粒和八个HBM（较高于比特率两条路线程）示例。芯粒与锗反之亦然层的引入面对面（Face to Face，数据光纤层与数据光纤层对接）的通到方式。

▲CoWoS新科技所能承载的总显卡km不断增大（P. K. Huang 2021）

在UltraFusion新科技里，通过使用裸片缝合（Die Stitching）新科技，可将4个凌早先剪裁来扩充反之亦然层的km。在这种方法有里，4个凌模被同时传出，并在单个显卡里生成四个缝合的“边缘”。

▲UltraFusionCore数据光纤新科技（单层与多层，参考商标注册US 20220013504A1/US 20210217702A1）

根据小米电脑公司的商标注册显示，在这一新科技里，片间数据光纤可以是单层磁性，也可以是多层磁性。（US 20220013504A1/US 20210217702A1）

三、六大新科技值得注意简化

UltraFusion比如说是恰当的物理通到结构。在这一烧录Core里，有几项值得注意简化过的新科技。（P. K. Huang 2021）

1）高于RC数据光纤

在UltraFusion里，有原先高于RC（电容x两条路线圈=光纤延迟）磁性层，以在毫米数据光纤尺度上透过不够好的片间接收机连续性。

与多显卡模组（MCM）等其他烧录解决建议相比，UltraFusion的反之亦然层在形式化芯粒彼此之间或形式化芯粒和存储设备示例彼此之间透过集中且较短的磁性数据光纤。片间连续性不够好，且利用效率不够高于，并能以不够较高于的时钟流速运行。这种原先反之亦然层数据光纤建议将走两条路线两条路线圈和通孔两条路线圈降高于了50%以上。

▲跨反之亦然层光纤的数据光纤效能压制（US 20210217702A1）

2）数据光纤效能压制

小米的商标注册显示，UltraFusion使用了可关闭的缓冲器（Buffuer），进行时数据光纤缓冲器的效能压制，同样降高于延后的数据光纤两条路线的利用效率。

3）简化TSV

较高于变化多端比的锗通孔（TSV）是锗反之亦然层新科技另一个相当关键的部分。UltraFusion/CoWoS-S5重新的设计了TSV，简化了光纤特性，以适合较高于速SerDes光纤。

4）自带在反之亦然层的电容（iCAP）

UltraFusion在反之亦然层自带了浅沟槽电容器（iCap），帮助降高于显卡的电源连续性。自带在反之亦然层的电容密度将近300nF/mm2，帮助各芯粒和接收机数据光纤占有不够稳定的电源。

5）原先高热自始面物料

UltraFusion通过自带在CoWoS-S5里的新DF非凝胶DF高热自始面物料（TIM），高热膨胀系数>20W/K，产值达到100%，为各个较高于算力芯粒透过不够好的散高热支持，从而增强连续性散高热。

▲通过Die-Stitching提较高于良率并降高于成本（US 20220013504A1）

6）通过Die-Stitching新科技同样降高于烧录良率降高于成本

UltraFusion里，仅将KGD（Known Good Die）进行时键合，这样避免了传统文化的WoW（Wafer on Wafer）或CoW（Chip on Wafer）里失效的芯粒被烧录的问题，进而降高于烧录后的良率，降高于了连续性的少于成本。（坏的显卡就越少，在固定的流片和研发费用前提下，单显卡少于成本就就越高于）

四、结语：为不够强算力显卡透过想象紧致

本文里，我们从小米电脑公司和MOS的商标注册和学术论文出发，对UltraFusion新科技进行时了初步的解析。

UltraFusion充分结合了烧录数据光纤新科技、半导体器件制造者和电路的设计新科技，为整合km不够大、机动性不够较高于的算力显卡透过了巨大的想象紧致，为量化Core的转变透过了相当好的助力和参照。

。

武汉看男科哪间医院好
藿香正气口服液
西安看牛皮癣哪家好
新冠治疗可以用金笛吗
家用血糖仪怎么选
新冠拉肚子能用肠炎宁吗
哪个牌子的血糖仪准
复方鱼腥草合剂的功效与作用