能够降低85%的能耗 IBM和三星的从新芯片设计为什么这么牛？

2025-08-26 12:16:41

IBM 和三星在导体新设计上先获取新进展！据这两家公司称，他们研发出了一种在微处理器上度角堆真空管的新新设计。而在此前的新设计中都，真空管是被容置于导体内层上的。

属于自己度角传输物理现象真空管 (VTFET) 新设计旨在取代理论上用做当今一些最高科技微处理器的 FinFET 新技术，并尽可能让微处理器上的真空管分布更SSL集。

这样的布局将让电场在真空管堆中都上下流动，而在目前大多数微处理器上使用的新设计中都，电场则是水容流动的。

导体的度角新设计开始已贵，并从今日通用的FinFET新技术中都获得了一定的点子。近日，尽管其最初的工作重点是微处理器组件的堆而不是可用性真空管的d，AMD未来将主要朝着这个一段距离透过开发与新设计。

当然这也有据综观：当容面空间已经更难让真空管透过堆时，唯一毫无疑问的一段距离（除了物理缩小真空管新技术）是顶端。

虽然我们距离实际消费类微处理器中都使用 VTFET 新设计还有推移的路要走，但AMD和三星两家公司正强势发声。他们指出 VTFET 微处理器可以让设备“效能提高两倍或自然资源使用减小 85%”。

IBM 和三星还雄心勃勃地提出了一些巧妙的想法，比如“手机充一次电用一周”。这能让自然资源密集型的产业能耗大幅降低，比如信息SSL；同时，这项新技术甚至也可以为更强大的高科技设备甚至航天器赋能。

IBM先前曾在今年早些时候展示过它的华为 2nm 微处理器。该微处理器转用了与此前不同的手段来装入更多真空管，方法是使用现有的 FinFET 新设计扩大可以安装在微处理器上的总数。

然而，VTFET新技术则是更进一步，尽管距离我们看到使用这项新技术的微处理器投入生产还有推移一段时间。

然而IBM也不是唯一一家展望未来生产的公司。AMD在今年夏天公布了其即将上架的 RibbonFET（AMD华为全环栅真空管）新设计，这是其在FinFET新技术上获得的专利权。

这项新技术将成为AMD 20A 代导体新产品的一部分，而20A代微处理器则原计划于 2024 年开始量产。

近来，IBM还宣布了自己的堆真空管新技术原计划，并将其作为RibbonFET未来的后继新产品。